DF11MR12W1M1B11BOMA1

تصویر برای مرجع است، لطفا برای دریافت تصویر واقعی با ما تماس بگیرید

قطعه سازنده	DF11MR12W1M1B11BOMA1
سازنده	Rochester Electronics
شرح	IGBT MODULE
دسته بندی	محصولات نیمه هادی گسسته
خانواده	ترانزیستورها - fets، mosfets - آرایه ها
چرخه زندگی:	New from this manufacturer.
تحویل:	DHL FedEx Ups TNT EMS
پرداخت	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
دیتاشیت	DF11MR12W1M1B11BOMA1 PDF

دسترسی

در انبار	۸۳
قیمت واحد	$ 120.00000

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

DF11MR12W1M1B11BOMA1 مشخصات فنی

تایپ کنید	شرح
سلسله:	*
بسته بندی:	Bulk
وضعیت قطعه:	Active
نوع فوت:	2 N-Channel (Dual)
ویژگی فوت:	Silicon Carbide (SiC)
تخلیه به ولتاژ منبع (vdss):	1200V (1.2kV)
جریان - تخلیه مداوم (id) @ 25 درجه سانتیگراد:	50A
rds در (حداکثر) شناسه @، vgs:	23mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (حداکثر) @ id:	5.5V @ 20mA
شارژ گیت (qg) (حداکثر) @ vgs:	125nC @ 5V
ظرفیت ورودی (سیس) (حداکثر) @ vds:	3950pF @ 800V
قدرت - حداکثر:	20mW
دمای عملیاتی:	-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب:	Chassis Mount
بسته / کیس:	Module
بسته دستگاه تامین کننده:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.